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Tira de Luces RGB, adhesiva, IP55, con alimentador y mando a distancia
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Tira Neopixel WS2812 5050 RGB LED
Características
- Voltaje de alimentación: 4 a 7 volts
- Corriente por pixel: 60mA
- Voltaje en terminal de Datos Digitales: 5 volts
- Corriente máxima por tira: 480mA
- Corriente promedio por componente RGB : 20mA
- Ángulo de visión:120°
- Número de terminales: 8
- Dimensiones de la tira: 51.10mm / 2″ x 10.22mm / 0.4″ x 3.19mm / 0.12″
- Peso: 2.57g
- Material de Shell: pcb
Tornillo y tuerca M2.5
Esta tuerca hexagonal y tornillo estan hechos de acero galvanizado y viene en paquetes de 25. Los tornillos son de
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Tornillo y tuerca M3 diferentes tamaños
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TP4056 Tipo C Módulo de carga para batería Lipo 1A
Transistor TIP31C NPN
Transistor TIP32C PNP
Transistor 2N3904 NPN
Características:
- TRANSISTOR BIPOLAR, NPN, 40 V, TO-92
- Polaridad del transistor: NPN
- Voltaje V (br) ceo: 40 V
- Transición de frecuencia ft: 300 MHz
- Disipación de potencia Pd: 625 mW
- DC Corriente del colector: 200 mA
- Ganancia de corriente contínua hFE: 100
- Rango de temperatura de funcionamiento en el empalme de -55 ° C a 150 ° C
- Colector emisor tensión de saturación es inferior a 300 mV en Ic = 10 mA
- DC ganancia de corriente es mayor que 30 en Ic = 100 mA
- Encapsulado TO-92
- 3 pines
Transistor 2N3906 PNP
Transistor BC337 NPN
CARACTERÍSTICAS:
- Encapsulado: TO-92
- Polaridad: NPN
- Voltaje Colector- Emisor VCE: 45V
- Voltaje Colector - Base VCB: 50V
- Voltaje Emisor - Base VEB: 5V
- Voltaje Saturación Colector-Emisor VCE(sat): 0.7V
- Corriente Máxima de Colector IC: 800mA
- Ganancia hFE: 160 a 400
- Potencia Máxima Disipada PD: 625 mW
- Disipación térmica PD: 5 mW/°C
- Frecuencia Máxima de Conmutación fT: 210MHz
- Temperatura de operación TJ: -55 a 150°C
Transistor BC547 NPN
CARACTERÍSTICAS:
- Encapsulado: TO-92
- Polaridad: NPN
- Configuración: Single
- Máxima Corriente de Colector DC: 100 mA
- Voltaje de Colector-Emisor (VCEO) Máximo: 45 V
- Voltaje de Colector-Base (VCBO): 50 V
- Voltaje de Emisor-Base (VEBO): 6 V
- Voltaje de Saturación Colector-Emisor: 250 mV
- Ganancia de corriente continua (hFE): 110 a 800
- Disipación de Potencia (Pd): 500 mW
- Producto de Ganancia en Ancho de Banda (fT): 300 MHz
- Rango de Temperatura de Operación: – 65°C a +150°C
Transistor BD137 NPN
CARACTERÍSTICAS:
- Encapsulado: TO-126
- Polaridad: NPN.
- Vce de saturación (máx.) a Ib, Ic: 500 mV a 50 mA, 500 mA.
- Ganancia de CC (HFE) (mín.) a Ic, Vce: 40 a 150 mA, 2 V.
- Corriente – Colector (Ic) (Máx.): 100 nA (ICBO).
- Voltaje – Ruptura de emisor colector (Máx.): 60 V.
- Corriente Nominal: 1.5 A.
- Potencia – Máx: 1.25 W.
- Transición Typ ft Frecuencia: 250 MHz.
- Ganancia de corriente continúa (hFE): 40 a 160.
- Temperatura de operación: -65 a +150 °C.
- Tensión VCBO colector-base: 60 V.
- Voltaje VEBO emisor-base: 5 V.
- Voltaje de saturación colector-emisor: 0.5 V.
