Transistor BC337 NPN

$0.15
CARACTERÍSTICAS:
  • Encapsulado: TO-92
  • Polaridad: NPN
  • Voltaje Colector- Emisor VCE: 45V
  • Voltaje Colector - Base VCB: 50V
  • Voltaje Emisor - Base VEB: 5V
  • Voltaje Saturación Colector-Emisor VCE(sat): 0.7V
  • Corriente Máxima de Colector IC: 800mA
  • Ganancia hFE: 160 a 400
  • Potencia Máxima Disipada PD: 625 mW
  • Disipación térmica PD: 5 mW/°C
  • Frecuencia Máxima de Conmutación fT: 210MHz
  • Temperatura de operación TJ: -55 a 150°C

Transistor BC547 NPN

$0.15
CARACTERÍSTICAS:
  • Encapsulado: TO-92
  • Polaridad: NPN
  • Configuración: Single
  • Máxima Corriente de Colector DC: 100 mA
  • Voltaje de Colector-Emisor (VCEO) Máximo: 45 V
  • Voltaje de Colector-Base (VCBO): 50 V
  • Voltaje de Emisor-Base (VEBO): 6 V
  • Voltaje de Saturación Colector-Emisor: 250 mV
  • Ganancia de corriente continua (hFE): 110 a 800
  • Disipación de Potencia (Pd): 500 mW
  • Producto de Ganancia en Ancho de Banda (fT): 300 MHz
  • Rango de Temperatura de Operación: – 65°C a +150°C

Transistor BD137 NPN

$0.40
CARACTERÍSTICAS:
  • Encapsulado: TO-126
  • Polaridad: NPN.
  • Vce de saturación (máx.) a Ib, Ic: 500 mV a 50 mA, 500 mA.
  • Ganancia de CC (HFE) (mín.) a Ic, Vce: 40 a 150 mA, 2 V.
  • Corriente – Colector (Ic) (Máx.): 100 nA (ICBO).
  • Voltaje – Ruptura de emisor colector (Máx.): 60 V.
  • Corriente Nominal: 1.5 A.
  • Potencia – Máx: 1.25 W.
  • Transición Typ ft Frecuencia: 250 MHz.
  • Ganancia de corriente continúa (hFE): 40 a 160.
  • Temperatura de operación: -65 a +150 °C.
  • Tensión VCBO colector-base: 60 V.
  • Voltaje VEBO emisor-base: 5 V.
  • Voltaje de saturación colector-emisor: 0.5 V.