Transistor BD137 NPN

DESCRIPCIÓN:

El BD137 es un Transistor de Unión Bipolar (BJT) de silicio, diseñado específicamente para aplicaciones que requieren manejar media potencia. Se destaca por su capacidad de alta corriente (hasta 1.5 Amperios) y su excelente rendimiento en circuitos de amplificación de audio y control de motores o relés de potencia media.

Su robusto encapsulado TO-126 de plástico con pestaña metálica facilita la disipación del calor, lo que le permite manejar cargas significativamente mayores en comparación con los transistores de baja potencia (como el BC547).

CARACTERÍSTICAS:

• Encapsulado: TO-126
• Polaridad: NPN.
• Vce de saturación (máx.) a Ib, Ic: 500 mV a 50 mA, 500 mA.
• Ganancia de CC (HFE) (mín.) a Ic, Vce: 40 a 150 mA, 2 V.
• Corriente – Colector (Ic) (Máx.): 100 nA (ICBO).
• Voltaje – Ruptura de emisor colector (Máx.): 60 V.
• Corriente Nominal: 1.5 A.
• Potencia – Máx: 1.25 W.
• Transición Typ ft Frecuencia: 250 MHz.
• Ganancia de corriente continúa (hFE): 40 a 160.
• Temperatura de operación: -65 a +150 °C.
• Tensión VCBO colector-base: 60 V.
• Voltaje VEBO emisor-base: 5 V.
• Voltaje de saturación colector-emisor: 0.5 V.