Este dispositivo semiconductor es un transistor bipolar de juntura NPN. Su encapsulado es el TO-92, cuya estructura es plástica con tres terminales (pines). Este transistor es de baja potencia, capaz de disipar hasta 625mW, aun así, puede controlar dispositivos que consuman hasta 600mA o que requieran tensiones de hasta 40Vdc, siempre y cuando no se exija el dispositivo hasta o sobre su potencia de disipación máxima.
Su juntura es NPN, con un factor de amplificación (Hfe) que varia de acuerdo a la carga a utilizar, variando entre los 100 y los 300.
Es un dispositivo, extremadamente rápido, muy útil en circuitos donde se requiera utilizar dispositivos finales con control PWM de bajo consumo, como pueden ser motores de 3V, con control en velocidad. Además, puede ser utilizado en circuitos de amplificación de señales bajas, inversor de estados lógicos (TTL o CMOS), controlar relés y motores de baja potencias (3V), etc.
Características:
- Voltaje colector-emisor (VCE): 40Vdc
- Corriente máx.. colector (IC máx.): 600mA
- Factor ampliación: 100 ~ 300
- Frecuencia máx.. de trabajo: 250Khz
- Temperatura de operación: -55 ~ 125°C
- Dimensiones: 17.5mm de largo x 5mm de ancho x 3.6mm de alto.
