Transistor

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TIP121 Darlington NPN 80V 5A

$0.50

Descripción:

Polaridad del transistor:	NPN
Máx. voltaje VCEO colector-emisor:	80 V
Voltaje VEBO emisor-base:	5 V
Tensión VCBO colector-base:	80 V
Corriente CC máxima de colector:	5 A
Corriente de corte máxima de colector:	200 uA
Estilo de montaje:	Through Hole
Paquete / Cubierta:	TO-220-3
Temperatura de trabajo máxima:	+ 150 C
Serie:	TIP121

Transistor 2N3904 NPN

$0.25

Características:

TRANSISTOR BIPOLAR, NPN, 40 V, TO-92
Polaridad del transistor: NPN
Voltaje V (br) ceo: 40 V
Transición de frecuencia ft: 300 MHz
Disipación de potencia Pd: 625 mW
DC Corriente del colector: 200 mA
Ganancia de corriente contínua hFE: 100
Rango de temperatura de funcionamiento en el empalme de -55 ° C a 150 ° C
Colector emisor tensión de saturación es inferior a 300 mV en Ic = 10 mA
DC ganancia de corriente es mayor que 30 en Ic = 100 mA
Encapsulado TO-92
3 pines

Transistor 2N3906 PNP

$0.25

Características:

TRANSISTOR BIPOLAR, PNP, 40 V TO-92
Polaridad del transistor: PNP
Voltaje V (br) ceo: 40 V
Transición de frecuencia: 250 MHz
Disipación de Potencia: 625 mW
Corriente del colector: 200 mA
Ganancia de corriente continúa hFE: 100
Encapsulado TO-92
3 pines

Transistor BC337 NPN

$0.15

CARACTERÍSTICAS:

Encapsulado: TO-92
Polaridad: NPN
Voltaje Colector- Emisor VCE: 45V
Voltaje Colector - Base VCB: 50V
Voltaje Emisor - Base VEB: 5V
Voltaje Saturación Colector-Emisor VCE(sat): 0.7V
Corriente Máxima de Colector IC: 800mA
Ganancia hFE: 160 a 400
Potencia Máxima Disipada PD: 625 mW
Disipación térmica PD: 5 mW/°C
Frecuencia Máxima de Conmutación fT: 210MHz
Temperatura de operación TJ: -55 a 150°C

Transistor BC547 NPN

$0.15

CARACTERÍSTICAS:

Encapsulado: TO-92
Polaridad: NPN
Configuración: Single
Máxima Corriente de Colector DC: 100 mA
Voltaje de Colector-Emisor (VCEO) Máximo: 45 V
Voltaje de Colector-Base (VCBO): 50 V
Voltaje de Emisor-Base (VEBO): 6 V
Voltaje de Saturación Colector-Emisor: 250 mV
Ganancia de corriente continua (h_FE): 110 a 800
Disipación de Potencia (Pd): 500 mW
Producto de Ganancia en Ancho de Banda (fT): 300 MHz
Rango de Temperatura de Operación: – 65°C a +150°C

Transistor BD137 NPN

$0.40

CARACTERÍSTICAS:

Encapsulado: TO-126
Polaridad: NPN.
Vce de saturación (máx.) a Ib, Ic: 500 mV a 50 mA, 500 mA.
Ganancia de CC (HFE) (mín.) a Ic, Vce: 40 a 150 mA, 2 V.
Corriente – Colector (Ic) (Máx.): 100 nA (ICBO).
Voltaje – Ruptura de emisor colector (Máx.): 60 V.
Corriente Nominal: 1.5 A.
Potencia – Máx: 1.25 W.
Transición Typ ft Frecuencia: 250 MHz.
Ganancia de corriente continúa (hFE): 40 a 160.
Temperatura de operación: -65 a +150 °C.
Tensión VCBO colector-base: 60 V.
Voltaje VEBO emisor-base: 5 V.
Voltaje de saturación colector-emisor: 0.5 V.

Transistor NPN 2N2222A

$0.15

Características:

Voltaje colector-emisor (VCE): 40Vdc
Corriente máx.. colector (IC máx.): 600mA
Factor ampliación: 100 ~ 300
Frecuencia máx.. de trabajo: 250Khz
Temperatura de operación: -55 ~ 125°C
Dimensiones: 17.5mm de largo x 5mm de ancho x 3.6mm de alto.

Transistor TIP127 PNP 100V 5A

$0.50

Descripción:

Polaridad del transistor: PNP.
Voltaje colector base VCBO: 100 V.
Voltaje colector emisor VCEO: 100 V.
Voltaje emisor base VEBO: 5 V.
Corriente de colector DC Ic: 5 A.
Disipación de potencia colector Pc (Tc=25°C): 65 W.

ULN2803APG Matriz de transistores Darlington 50 V 500 mA.

$0.80

Características:

8 transistores NPN Darlington en emisor común.
8 diodos de supresión de voltajes inversos para manejar cargas inductivas, con conexiones de cátodo común.
Salidas de 0.5A (500mA) max.
Los transistores pueden ser conectados en paralelo para mayor capacidad de corriente.
Voltaje de sostenimiento a la salida: -0.5V a 50V.
Potencia max: 1.47 W.
Resistencia de entrada a la base: 2.7kΩ.
Voltaje de entrada: -0.5V a 30V.
Entradas compatibles TTL y CMOS de 5V.
Encapsulado: DIP 18 pines.

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